Производитель Номер продукта:
TK12E60W,S1VX
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK12E60W,S1VX-DG
Описание:
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
Подробное описание:
N-Channel 600 V 11.5A (Ta) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Инвентаризация:
50 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12891143
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK12E60W,S1VX Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
DTMOSIV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
300mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.7V @ 600µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
890 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
110W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
TK12E60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
TK12E60WS1VX
TK12E60W,S1VX(S
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TPC6111(TE85L,F,M)
MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6
TK17N65W,S1F
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO247
SSM3J325F,LF
MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
