Производитель Номер продукта:
TK12J60U(F)
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK12J60U(F)-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 12A TO3P
Подробное описание:
N-Channel 600 V 12A (Ta) 144W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Инвентаризация:
12891024
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK12J60U(F) Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Серия
DTMOSII
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
400mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
720 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
144W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-3P(N)
Упаковка / Чехол
TO-3P-3, SC-65-3
Базовый номер продукта
TK12J60
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
TK12J60UF
TK12J60U(F)-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK14C65W5,S1Q
MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
TK14E65W5,S1X
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220
TPCA8010-H(TE12L,Q
MOSFET N-CH 200V 5.5A 8SOP
