Производитель Номер продукта:
TK12J60W,S1VE(S
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK12J60W,S1VE(S-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 11.5A TO3P
Подробное описание:
N-Channel 600 V 11.5A (Ta) 110W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Инвентаризация:
12953712
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK12J60W,S1VE(S Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
300mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.7V @ 600µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
890 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
110W (Tc)
Рабочая температура
150°C
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-3P(N)
Упаковка / Чехол
TO-3P-3, SC-65-3
Базовый номер продукта
TK12J60
Дополнительная информация
Стандартный пакет
25
Другие названия
264-TK12J60WS1VE(S
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFBC40PBF
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
IRFB9N60A
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
IPC65SR048CFDAE8206X2SA1
MOSFET N-CH
