Производитель Номер продукта:
TK14C65W,S1Q
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK14C65W,S1Q-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
Подробное описание:
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole I2PAK
Инвентаризация:
12891548
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK14C65W,S1Q Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Серия
DTMOSIV
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13.7A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
250mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 690µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1300 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
130W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
I2PAK
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
TK14C65
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
TK14C65W,S1Q(S
TK14C65W,S1Q-DG
TK14C65WS1Q
TK14C65W,S1Q(S2
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STI20N65M5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1000
Номер части
STI20N65M5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.27
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMP22M2UPS-13
MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8
TK560A65Y,S4X
MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS
DMT2004UPS-13
MOSFET N-CH 24V 80A PWRDI5060-8
