Производитель Номер продукта:
TK14G65W,RQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK14G65W,RQ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Surface Mount D2PAK
Инвентаризация:
3525 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12891492
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK14G65W,RQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
DTMOSIV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13.7A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
250mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 690µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1300 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
130W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
D2PAK
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
TK14G65
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
TK14G65W,RQ(S
TK14G65WRQTR
TK14G65WRQCT
TK14G65WRQDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSS138W-7
MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT323
2SK2035(T5L,F,T)
MOSFET N-CH 20V 100MA SSM
TPH5R906NH,L1Q
MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP
