Производитель Номер продукта:
TK155A65Z,S4X
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK155A65Z,S4X-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 18A TO220SIS
Подробное описание:
N-Channel 650 V 18A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Инвентаризация:
12945816
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK155A65Z,S4X Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
DTMOSVI
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
155mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 730µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1635 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
40W (Tc)
Рабочая температура
150°C
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220SIS
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
TK155A65
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
264-TK155A65Z,S4X
264-TK155A65Z,S4X-DG
TK155A65Z,S4X(S
264-TK155A65ZS4X
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK110A65Z,S4X
MOSFET N-CH 650V 24A TO220SIS
STN1NF10
MOSFET N-CH 100V 1A SOT-223
IRFR210TRLPBF-BE3
MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
