Производитель Номер продукта:
TK160F10N1L,LXGQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK160F10N1L,LXGQ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Подробное описание:
N-Channel 100 V 160A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
Инвентаризация:
8900 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12943588
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK160F10N1L,LXGQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVIII-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
160A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
10100 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
375W (Tc)
Рабочая температура
175°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-220SM(W)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
TK160F10
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
TK160F10N1L,LXGQ(O
264-TK160F10N1LLXGQTR
264-TK160F10N1LLXGQDKR
264-TK160F10N1LLXGQCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
EPC2218
GANFET N-CH 100V DIE
STD18N65M2-EP
MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
BUK7S1R2-40HJ
MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK88
