Производитель Номер продукта:
TK16G60W5,RVQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK16G60W5,RVQ-DG
Описание:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Подробное описание:
N-Channel 600 V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Surface Mount D2PAK
Инвентаризация:
2000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12988809
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK16G60W5,RVQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
DTMOSIV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
15.8A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
230mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 790µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1350 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
130W (Tc)
Рабочая температура
150°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
D2PAK
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
264-TK16G60W5,RVQCT
264-TK16G60W5RVQTR-DG
264-TK16G60W5RVQTR
264-TK16G60W5,RVQDKR
264-TK16G60W5,RVQTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IMT65R072M1HXUMA1
SILICON CARBIDE MOSFET
GT060N04T
MOSFET N-CH 40 60A TO-220
CEH2315-HF
MOSFET P-CH 30V 5A 6TSOP
