Производитель Номер продукта:
TK16N60W,S1VF
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK16N60W,S1VF-DG
Описание:
MOSFET N CH 600V 15.8A TO247
Подробное описание:
N-Channel 600 V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-247
Инвентаризация:
30 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12889805
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK16N60W,S1VF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
DTMOSIV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
15.8A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
190mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.7V @ 790µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1350 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
130W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
TK16N60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
TK16N60WS1VF
TK16N60W,S1VF(S
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK15A60U(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 15A TO220SIS
SSM6K361NU,LF
MOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNB
TK6P60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK