Производитель Номер продукта:
TK170V65Z,LQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK170V65Z,LQ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN
Подробное описание:
N-Channel 650 V 18A (Ta) 150W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Инвентаризация:
4950 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12979130
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK170V65Z,LQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
DTMOSVI
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
170mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 730µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1635 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
150W (Tc)
Рабочая температура
150°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
4-DFN-EP (8x8)
Упаковка / Чехол
4-VSFN Exposed Pad
Базовый номер продукта
TK170V65
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
264-TK170V65Z,LQTR-DG
264-TK170V65Z,LQCT-DG
264-TK170V65ZLQTR
264-TK170V65Z,LQCT
264-TK170V65Z,LQTR
264-TK170V65Z,LQDKR-DG
TK170V65Z,LQ(S
264-TK170V65Z,LQDKR
264-TK170V65ZLQCT
264-TK170V65ZLQDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMG3420UQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
DMP26M1UPS-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI5060
DMN10H220LFVW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
