Производитель Номер продукта:
TK17V65W,LQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK17V65W,LQ-DG
Описание:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Подробное описание:
N-Channel 650 V 17.3A (Ta) 156W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Инвентаризация:
14 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12920880
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK17V65W,LQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
17.3A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
210mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 900µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1800 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
156W (Tc)
Рабочая температура
150°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
4-DFN-EP (8x8)
Упаковка / Чехол
4-VSFN Exposed Pad
Базовый номер продукта
TK17V65
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
264-TK17V65WLQDKR
264-TK17V65WLQTR
TK17V65W,LQ(S
264-TK17V65WLQCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TPH1R306PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
TK62Z60X,S1F
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TPH1R405PL,L1Q
MOSFET N-CH 45V 120A 8SOP
