Производитель Номер продукта:
TK190E65Z,S1X
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK190E65Z,S1X-DG
Описание:
650V DTMOS VI TO-220 190MOHM
Подробное описание:
N-Channel 650 V 15A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-220
Инвентаризация:
121 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12988147
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK190E65Z,S1X Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
15A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
190mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 610µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1370 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
130W (Tc)
Рабочая температура
150°C
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
264-TK190E65ZS1X
264-TK190E65Z,S1X
264-TK190E65Z,S1X-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI7454FDP-T1-RE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
SIHK045N60EF-T1GE3
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
G400P06S
MOSFET, P-CH, 60V,6A,SOP-8
