Производитель Номер продукта:
TK20C60W,S1VQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK20C60W,S1VQ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 20A (Ta) 165W (Tc) Through Hole I2PAK
Инвентаризация:
12889253
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK20C60W,S1VQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Серия
DTMOSIV
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
155mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.7V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1680 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
165W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
I2PAK
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
TK20C60
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
TK20C60W,S1VQ(S
TK20C60WS1VQ
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STI33N65M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
9000
Номер части
STI33N65M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.70
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK8A55DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 7.5A TO220SIS
SSM6J206FE(TE85L,F
MOSFET P-CH 20V 2A ES6
TK40P04M1(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 40V 40A DP
