Производитель Номер продукта:
TK30E06N1,S1X
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK30E06N1,S1X-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 43A TO220
Подробное описание:
N-Channel 60 V 43A (Ta) 53W (Tc) Through Hole TO-220
Инвентаризация:
24 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890280
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK30E06N1,S1X Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
U-MOSVIII-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
43A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
15mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1050 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
53W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
TK30E06
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
TK30E06N1,S1X(S
TK30E06N1S1X
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STP60NF06L
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
994
Номер части
STP60NF06L-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.80
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TPN2R304PL,L1Q
MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
TPC8036-H(TE12L,QM
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
TPCF8B01(TE85L,F,M
MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
