Производитель Номер продукта:
TK31E60W,S1VX
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK31E60W,S1VX-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Подробное описание:
N-Channel 600 V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-220
Инвентаризация:
48 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890743
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK31E60W,S1VX Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
DTMOSIV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30.8A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
88mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.7V @ 1.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3000 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
230W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
TK31E60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
TK31E60W,S1VX(S
TK31E60WS1VX
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXTP34N65X2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
152
Номер части
IXTP34N65X2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.26
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK14A45DA(STA4,QM)
MOSFET N-CH 450V 13.5A TO220SIS
TPH3R704PL,L1Q
MOSFET N-CH 40V 92A 8SOP
TK5A65D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 5A TO220SIS