Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
TK31N60W5,S1VF
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK31N60W5,S1VF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Подробное описание:
N-Channel 600 V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-247
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12889343
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK31N60W5,S1VF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
DTMOSIV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30.8A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
99mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 1.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3000 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
230W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
TK31N60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
TK31N60W5
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
TK31N60W5,S1VF-DG
TK31N60W5S1VF
TK31N60W5,S1VF(S
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
APT30N60BC6
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Microchip Technology
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2
Номер части
APT30N60BC6-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
5.18
Тип замещения
Similar
Номер детали
SPW35N60C3FKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
198
Номер части
SPW35N60C3FKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
5.72
Тип замещения
Similar
Номер детали
IPW60R099P7XKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
54
Номер части
IPW60R099P7XKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.30
Тип замещения
Similar
Номер детали
IXKH35N60C5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
117
Номер части
IXKH35N60C5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
6.79
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SSM3K36FS,LF
MOSFET N-CH 20V 500MA SSM
SSM3J168F,LF
MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
2SK3844(Q)
MOSFET N-CH 60V 45A TO220NIS
TK8A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS