Производитель Номер продукта:
TK31V60X,LQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK31V60X,LQ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Подробное описание:
N-Channel 600 V 30.8A (Ta) 240W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Инвентаризация:
23868 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890724
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK31V60X,LQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
DTMOSIV-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30.8A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
98mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 1.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3000 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
240W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
4-DFN-EP (8x8)
Упаковка / Чехол
4-VSFN Exposed Pad
Базовый номер продукта
TK31V60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
TK31V60X,LQ(S
TK31V60XLQDKR
TK31V60XLQCT
TK31V60XLQTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK100A06N1,S4X
MOSFET N-CH 60V 100A TO220SIS
TPC6009-H(TE85L,FM
MOSFET N-CH 40V 5.3A VS-6
TK6A53D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 525V 6A TO220SIS
