Производитель Номер продукта:
TK35A65W,S5X
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK35A65W,S5X-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS
Подробное описание:
N-Channel 650 V 35A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Инвентаризация:
13 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12889627
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
egNh
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK35A65W,S5X Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
DTMOSIV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
35A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
80mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 2.1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4100 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
50W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220SIS
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
TK35A65
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
TK35A65W,S5X(M
TK35A65W,S5X-DG
TK35A65WS5X
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2SJ360(F)
MOSFET P-CH 60V 1A PW-MINI
TK18E10K3,S1X(S
MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3
SSM3K303T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
