Производитель Номер продукта:
TK39N60X,S1F
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK39N60X,S1F-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Подробное описание:
N-Channel 600 V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247
Инвентаризация:
30 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12891669
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK39N60X,S1F Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
DTMOSIV-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
38.8A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
65mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 1.9mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4100 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
270W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
TK39N60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
TK39N60XS1F
TK39N60X,S1F(S
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMT8008SPS-13
MOSFET N-CH 80V 83A PWRDI5060-8
SSM4K27CTTPL3
MOSFET N-CH 20V 500MA CST4
DMP2040UFDF-13
MOSFET P-CH 20V 13A 6UDFN
