Производитель Номер продукта:
TK3A65D(STA4,Q,M)
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK3A65D(STA4,Q,M)-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 3A TO220SIS
Подробное описание:
N-Channel 650 V 3A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Инвентаризация:
47 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890339
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK3A65D(STA4,Q,M) Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
π-MOSVII
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.25Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
540 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
35W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220SIS
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
TK3A65
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
TK3A65D(STA4QM)
TK3A65DSTA4QM
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRFIBC30GPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1568
Номер части
IRFIBC30GPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.22
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TPCA8005-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 27A 8SOP
TK12P60W,RVQ(S
MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
TPCA8021-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 27A 8SOP
