Производитель Номер продукта:
TK3R9E10PL,S1X
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK3R9E10PL,S1X-DG
Описание:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Подробное описание:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220
Инвентаризация:
71 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12920888
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK3R9E10PL,S1X Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6320 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
230W (Tc)
Рабочая температура
175°C
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
TK3R9E10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
TK3R9E10PL,S1X(S
264-TK3R9E10PLS1X
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TPH3R70APL,L1Q
MOSFET N-CH 100V 90A 8SOP
TK22A65X5,S5X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TK17A65W,S5X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR