Производитель Номер продукта:
TK40J20D,S1F(O
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK40J20D,S1F(O-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 40A TO3P
Подробное описание:
N-Channel 200 V 40A (Ta) 260W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Инвентаризация:
12943191
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK40J20D,S1F(O Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Серия
π-MOSVIII
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
40A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
44mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4300 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
260W (Tc)
Рабочая температура
150°C
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-3P(N)
Упаковка / Чехол
TO-3P-3, SC-65-3
Базовый номер продукта
TK40J20
Дополнительная информация
Стандартный пакет
100
Другие названия
264-TK40J20DS1F(O
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TPCA8109(TE12L1,V
MOSFET P-CH 30V 24A 8SOP
BSZ0911LSATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
BSZ0702LSATMA1
MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
