Производитель Номер продукта:
TK40S06N1L,LQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK40S06N1L,LQ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 40A DPAK
Подробное описание:
N-Channel 60 V 40A (Ta) 88.2W (Tc) Surface Mount DPAK+
Инвентаризация:
700 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12975983
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK40S06N1L,LQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVIII-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
40A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
10.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1650 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
88.2W (Tc)
Рабочая температура
175°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DPAK+
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
TK40S06
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
264-TK40S06N1LLQTR
264-TK40S06N1LLQDKR
264-TK40S06N1L,LQDKR
264-TK40S06N1LLQCT
264-TK40S06N1L,LQCT-DG
264-TK40S06N1L,LQDKR-DG
264-TK40S06N1L,LQCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TSG65N110CE RVG
650V, 18A, PDFN88, E-MODE GAN TR
NTTFS016N06CTAG
MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
SQS460EN-T1_BE3
MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
