Производитель Номер продукта:
TK4A50D(STA4,Q,M)
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK4A50D(STA4,Q,M)-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 4A TO220SIS
Подробное описание:
N-Channel 500 V 4A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Инвентаризация:
111 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890919
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK4A50D(STA4,Q,M) Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
π-MOSVII
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
380 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
30W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220SIS
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
TK4A50
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
TK4A50D(STA4QM)
TK4A50DSTA4QM
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK40P03M1(T6RDS-Q)
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
TPC8038-H(TE12L,Q)
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
TPN2R805PL,L1Q
MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON
