Производитель Номер продукта:
TK56A12N1,S4X
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK56A12N1,S4X-DG
Описание:
MOSFET N-CH 120V 56A TO220SIS
Подробное описание:
N-Channel 120 V 56A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Инвентаризация:
53 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890944
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK56A12N1,S4X Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
U-MOSVIII-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
120 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.5mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4200 pF @ 60 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
45W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220SIS
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
TK56A12
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
TK56A12N1,S4X-DG
TK56A12N1S4X
TK56A12N1,S4X(S
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK5P50D(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
TPH1110FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
SSM6J801R,LF
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP