Производитель Номер продукта:
TK62J60W,S1VQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK62J60W,S1VQ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P
Подробное описание:
N-Channel 600 V 61.8A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Инвентаризация:
4 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12949830
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK62J60W,S1VQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
DTMOSIV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
61.8A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
38mOhm @ 30.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.7V @ 3.1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6500 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
400W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-3P(N)
Упаковка / Чехол
TO-3P-3, SC-65-3
Базовый номер продукта
TK62J60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
25
Другие названия
TK62J60W,S1VQ(O
TK62J60WS1VQ
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FCH041N60F
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
365
Номер части
FCH041N60F-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
7.37
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMPH6250SQ-13
MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23 T&R
TSM4N80CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 800V 4A TO220
TSM1NB60CH C5G
MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO251
