Производитель Номер продукта:
TK65A10N1,S4X
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK65A10N1,S4X-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 65A TO220SIS
Подробное описание:
N-Channel 100 V 65A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Инвентаризация:
9 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12891004
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK65A10N1,S4X Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
U-MOSVIII-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.8mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5400 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
45W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220SIS
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
TK65A10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
TK65A10N1,S4X(S
TK65A10N1S4X
TK65A10N1,S4X-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FDPF045N10A
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1000
Номер части
FDPF045N10A-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.73
Тип замещения
Upgrade
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TPCC8008(TE12L,QM)
MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON
TPH3R003PL,LQ
MOSFET N-CH 30V 88A 8SOP
TK8A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS
