Производитель Номер продукта:
TK65S04N1L,LQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK65S04N1L,LQ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Подробное описание:
N-Channel 40 V 65A (Ta) 107W (Tc) Surface Mount DPAK+
Инвентаризация:
7976 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12891340
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK65S04N1L,LQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVIII-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
65A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 300µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2550 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
107W (Tc)
Рабочая температура
175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DPAK+
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
TK65S04
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
TK65S04N1L,LQ(O
TK65S04N1LLQTR
TK65S04N1LLQDKR
TK65S04N1LLQCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2SK3342(TE16L1,NQ)
MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD
DMN24H11DSQ-13
MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
TK5A45DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 4.5A TO220SIS
