Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
TK6A60D(STA4,Q,M)
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK6A60D(STA4,Q,M)-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
Подробное описание:
N-Channel 600 V 6A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12889715
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK6A60D(STA4,Q,M) Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Серия
π-MOSVII
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.25Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
800 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
40W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220SIS
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
TK6A60
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
TK6A60DSTA4QM
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STF6N62K3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
963
Номер части
STF6N62K3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.83
Тип замещения
Similar
Номер детали
TK1K2A60F,S4X
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
100
Номер части
TK1K2A60F,S4X-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.35
Тип замещения
Similar
Номер детали
R6004ENX
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
106
Номер части
R6004ENX-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.60
Тип замещения
Similar
Номер детали
FQPF7N60
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
21
Номер части
FQPF7N60-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.17
Тип замещения
Similar
Номер детали
IRFIBC40GLCPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IRFIBC40GLCPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.10
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK31N60W,S1VF
MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
SSM3K44FS,LF
MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
TK17E65W,S1X
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO220
TK50E06K3A,S1X(S
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3