Производитель Номер продукта:
TK6R8A08QM,S4X
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK6R8A08QM,S4X-DG
Описание:
UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8MOHM
Подробное описание:
N-Channel 80 V 58A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Инвентаризация:
40 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12965739
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK6R8A08QM,S4X Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
U-MOSX-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.8mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 500µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2700 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
41W (Tc)
Рабочая температура
175°C
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220SIS
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
264-TK6R8A08QM,S4X
TK6R8A08QM,S4X(S
264-TK6R8A08QM,S4X-DG
264-TK6R8A08QMS4X
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
R6070JNZ4C13
600V 70A TO-247, PRESTOMOS WITH
R6507END3TL1
650V 7A TO-252, LOW-NOISE POWER
FSS2100-G
FSS2100-G
