Производитель Номер продукта:
TK7A65W,S5X
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK7A65W,S5X-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 6.8A TO220SIS
Подробное описание:
N-Channel 650 V 6.8A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Инвентаризация:
12891123
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK7A65W,S5X Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
DTMOSIV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.8A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
780mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
490 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
30W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220SIS
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
TK7A65
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
TK7A65W,S5X(M
TK7A65WS5X
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXTP4N70X2M
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
24
Номер части
IXTP4N70X2M-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.35
Тип замещения
Similar
Номер детали
STF9N60M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1988
Номер части
STF9N60M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.53
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TPC8042(TE12L,Q,M)
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
TP89R103NL,LQ
MOSFET N CH 30V 15A 8SOP
TK35S04K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 40V 35A DPAK
