Производитель Номер продукта:
TK7Q60W,S1VQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK7Q60W,S1VQ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 7A (Ta) 60W (Tc) Through Hole I-Pak
Инвентаризация:
75 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890596
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK7Q60W,S1VQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
DTMOSIV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.7V @ 350µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
490 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
60W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
I-PAK
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Базовый номер продукта
TK7Q60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
75
Другие названия
TK7Q60W,S1VQ(S
TK7Q60WS1VQ
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSS123ATA
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
TPCA8008-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 250V 4A 8SOP
TPC8026(TE12L,Q,M)
MOSFET N-CH 30V 13A 8SOP
