Производитель Номер продукта:
TK7S10N1Z,LQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK7S10N1Z,LQ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Подробное описание:
N-Channel 100 V 7A (Ta) 50W (Tc) Surface Mount DPAK+
Инвентаризация:
5599 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12889266
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK7S10N1Z,LQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVIII-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
48mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7.1 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
470 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
50W (Tc)
Рабочая температура
175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DPAK+
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
TK7S10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
TK7S10N1ZLQTR
TK7S10N1ZLQDKR
TK7S10N1ZLQCT
TK7S10N1Z,LQ(O
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK20A60W5,S5VX
MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
DMN3025LFV-7
MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333
SSM3J56MFV,L3F
MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
