Производитель Номер продукта:
TK8R2A06PL,S4X
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK8R2A06PL,S4X-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 50A TO220SIS
Подробное описание:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Инвентаризация:
12891649
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK8R2A06PL,S4X Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
U-MOSIX-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11.4mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 300µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
28.4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1990 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
36W (Tc)
Рабочая температура
175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220SIS
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
TK8R2A06
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
TK8R2A06PL,S4X(S
TK8R2A06PLS4X
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN3020UTS-13
MOSFET N-CH 30V 15A 8TSSOP
TPC8129,LQ(S
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
DMN3018SSS-13
MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO
