Производитель Номер продукта:
TPCF8201(TE85L,F,M
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TPCF8201(TE85L,F,M-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 20V 3A VS-8
Подробное описание:
Mosfet Array 20V 3A 330mW Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)
Инвентаризация:
12890829
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TPCF8201(TE85L,F,M Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3A
Rds On (макс.) @ id, vgs
49mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.2V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7.5nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
590pF @ 10V
Мощность - Макс
330mW
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-SMD, Flat Lead
Комплект устройства поставщика
VS-8 (2.9x1.5)
Базовый номер продукта
TPCF8201
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
TPCF8201TR-NDR
TPCF8201(TE85LFMCT
TPCF8201FCT-DG
TPCF8201FTR-DG
TPCF8201FTR
TPCF8201(TE85LFMDKR
TPCF8201(TE85L,F)
TPCF8201(TE85LFMTR
TPCF8201FCT
TPCF8201FDKR
TPCF8201FDKR-DG
TPCF8201TE85LFM
TPCF8201CT-NDR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TPC8211(TE12L,Q,M)
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOP
SSM6L61NU,LF
MOSFET N/P-CH 20V 4A 6UDFN
SSM6N16FUTE85LF
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6