Производитель Номер продукта:
TPCF8A01(TE85L)
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TPCF8A01(TE85L)-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 3A VS-8
Подробное описание:
N-Channel 20 V 3A (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)
Инвентаризация:
12890975
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TPCF8A01(TE85L) Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Серия
U-MOSIII
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
49mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.2V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7.5 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
590 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
Schottky Diode (Isolated)
Рассеиваемая мощность (макс.)
330mW (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
VS-8 (2.9x1.5)
Упаковка / Чехол
8-SMD, Flat Lead
Базовый номер продукта
TPCF8A01
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
TPCF8A01CT
TPCF8A01(TE85L)CT
TPCF8A01FTR
TPCF8A01TE85LF
TPCF8A01(TE85L,F)
TPCF8A01TE85L
TPCF8A01(TE85L)DKR
TPCF8A01CTINACTIVE
TPCF8A01FDKR
TPCF8A01(TE85L)TR
TPCF8A01FCT-DG
TPCF8A01TRINACTIVE
TPCF8A01FCT
TPCF8A01TR-DG
TPCF8A01FTR-DG
TPCF8A01CT-DG
TPCF8A01(TE85L,F)-DG
TPCF8A01FDKR-DG
TPCF8A01TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK2A65D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 2A TO220SIS
SSM3K344R,LF
MOSFET N-CH 20V 3A SOT23F
DMN2990UFZ-7B
MOSFET N-CH 20V 250MA 3DFN