Производитель Номер продукта:
TPH1R204PB,L1Q
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TPH1R204PB,L1Q-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Подробное описание:
N-Channel 40 V 150A (Tc) 960mW (Ta), 132W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Инвентаризация:
31092 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12966405
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TPH1R204PB,L1Q Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSIX-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 500µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5855 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
960mW (Ta), 132W (Tc)
Рабочая температура
175°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOP Advance (5x5)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
TPH1R204
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
TPH1R204PB,L1Q(M
264-TPH1R204PBL1QDKR
264-TPH1R204PBL1QCT
264-TPH1R204PBL1QTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIJ470DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
SIHA22N60AE-E3
MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220
ZVN3320A
MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3
