TPH1R306P1,L1Q
Производитель Номер продукта:

TPH1R306P1,L1Q

Product Overview

Производитель:

Toshiba Semiconductor and Storage

Номер детали:

TPH1R306P1,L1Q-DG

Описание:

MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Подробное описание:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)

Инвентаризация:

3143 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12966838
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

TPH1R306P1,L1Q Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSIX-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.28mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
8100 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
960mW (Ta), 170W (Tc)
Рабочая температура
175°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOP Advance (5x5)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
TPH1R306

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
5,000
Другие названия
264-TPH1R306P1L1QCT
264-TPH1R306P1L1QTR
264-TPH1R306P1L1QDKR
TPH1R306P1,L1Q(M

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SIJ128LDP-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK

microsemi

JANTXV2N6768

MOSFET N-CH 400V 14A TO204AE

infineon-technologies

IPD088N06N3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

infineon-technologies

IPD048N06L3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3