Производитель Номер продукта:
TPH2R306NH,L1Q
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TPH2R306NH,L1Q-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Подробное описание:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 1.6W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Инвентаризация:
2815 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890703
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TPH2R306NH,L1Q Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVIII-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6100 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.6W (Ta), 78W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOP Advance (5x5)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
TPH2R306
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
TPH2R306NHL1QDKR
TPH2R306NH,L1Q(M
TPH2R306NHL1QTR
TPH2R306NHL1QCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK6A55DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 5.5A TO220SIS
TPC8067-H,LQ(S
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
SSM3K17SU,LF(D
MOSFET N-CH 50V 100MA USM