Производитель Номер продукта:
TPH3R70APL1,LQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TPH3R70APL1,LQ-DG
Описание:
150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3
Подробное описание:
N-Channel 100 V 90A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
Инвентаризация:
9377 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12927096
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TPH3R70APL1,LQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.7mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6300 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
210W (Tc)
Рабочая температура
175°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOP Advance (5x5.75)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
TPH3R70
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
264-TPH3R70APL1,LQCT
264-TPH3R70APL1LQCT
TPH3R70APL1,LQ(M
264-TPH3R70APL1,LQTR
264-TPH3R70APL1,LQDKR-DG
264-TPH3R70APL1LQDKR
264-TPH3R70APL1,LQCT-DG
264-TPH3R70APL1,LQDKR
264-TPH3R70APL1,LQTR-DG
264-TPH3R70APL1LQTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
JANTX2N6804
MOSFET P-CH 100V 11A TO204AA
NDD60N360U1T4G
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
AOD3N50
MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252