Производитель Номер продукта:
TPH4R50ANH,L1Q
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TPH4R50ANH,L1Q-DG
Описание:
MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
Подробное описание:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 1.6W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Инвентаризация:
12716 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12891156
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TPH4R50ANH,L1Q Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVIII-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5200 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.6W (Ta), 78W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOP Advance (5x5)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
TPH4R50
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
TPH4R50ANH,L1Q(M
TPH4R50ANHL1QDKR
TPH4R50ANHL1QTR
TPH4R50ANHL1QCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TPH8R008NH,L1Q
MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP
2SK2989(TPE6,F,M)
MOSFET N-CH TO92MOD
TK380P60Y,RQ
MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK
