TPH4R803PL,LQ
Производитель Номер продукта:

TPH4R803PL,LQ

Product Overview

Производитель:

Toshiba Semiconductor and Storage

Номер детали:

TPH4R803PL,LQ-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP
Подробное описание:
N-Channel 30 V 48A (Tc) 830mW (Ta), 69W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)

Инвентаризация:

4994 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12967252
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

TPH4R803PL,LQ Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSIX-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
48A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.8mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.1V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1975 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
830mW (Ta), 69W (Tc)
Рабочая температура
175°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOP Advance (5x5)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
TPH4R803

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
264-TPH4R803PLLQCT
264-TPH4R803PLLQDKR
TPH4R803PL,LQ(S
264-TPH4R803PLLQTR

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
fairchild-semiconductor

ISL9N327AD3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

renesas-electronics-america

2SJ451ZK-TL-E

P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET

infineon-technologies

IPB80P04P4L04ATMA2

MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3

renesas-electronics-america

2SJ463A(0)-T1-A

SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET