TPH5200FNH,L1Q
Производитель Номер продукта:

TPH5200FNH,L1Q

Product Overview

Производитель:

Toshiba Semiconductor and Storage

Номер детали:

TPH5200FNH,L1Q-DG

Описание:

MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Подробное описание:
N-Channel 250 V 26A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)

Инвентаризация:

20159 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12891368
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

TPH5200FNH,L1Q Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVIII-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
250 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
52mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2200 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
78W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOP Advance (5x5)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
TPH5200

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
5,000
Другие названия
TPH5200FNHL1QDKR
TPH5200FNHL1QCT
TPH5200FNH,L1Q(M
TPH5200FNHL1QTR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
toshiba-semiconductor-and-storage

TJ15P04M3,RQ(S

MOSFET P-CH 40V 15A DPAK

toshiba-semiconductor-and-storage

TK39A60W,S4VX

MOSFET N-CH 600V 38.8A TO220SIS

diodes

DMN67D8LT-7

MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT523 T&R

toshiba-semiconductor-and-storage

TPC8110(TE12L,Q,M)

MOSFET P-CH 40V 8A 8SOP