Производитель Номер продукта:
TPH6R30ANL,L1Q
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TPH6R30ANL,L1Q-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 66A/45A 8SOP
Подробное описание:
N-Channel 100 V 66A (Ta), 45A (Tc) 2.5W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Инвентаризация:
1336 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890900
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TPH6R30ANL,L1Q Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVIII-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
66A (Ta), 45A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 500µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4300 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 54W (Tc)
Рабочая температура
150°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOP Advance (5x5)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
TPH6R30
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
264-TPH6R30ANL,L1QDKR
264-TPH6R30ANL,L1QCT
TPH6R30ANLL1Q-DG
TPH6R30ANLL1Q
264-TPH6R30ANL,L1QTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TPH11006NL,LQ
MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP
2SK3868(Q,M)
MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
TPH12008NH,L1Q
MOSFET N-CH 80V 24A 8SOP
