Производитель Номер продукта:
TPH9R00CQH,LQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TPH9R00CQH,LQ-DG
Описание:
UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM
Подробное описание:
N-Channel 150 V 64A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Инвентаризация:
9115 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12977639
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TPH9R00CQH,LQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
8V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.3V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5400 pF @ 75 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
960mW (Ta), 210W (Tc)
Рабочая температура
175°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOP Advance (5x5)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
264-TPH9R00CQHLQCT
264-TPH9R00CQHLQTR
264-TPH9R00CQHLQDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDS9435ANBAD008
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
RD3U041AAFRATL
MOSFET N-CH 250V 4A TO252
SIHG11N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 8A TO247AC
