Производитель Номер продукта:
TPH9R506PL,LQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TPH9R506PL,LQ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 34A 8SOP
Подробное описание:
N-Channel 60 V 34A (Tc) 830mW (Ta), 81W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Инвентаризация:
31819 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12920873
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TPH9R506PL,LQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSIX-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9.5mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1910 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
830mW (Ta), 81W (Tc)
Рабочая температура
175°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOP Advance (5x5)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
TPH9R506
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
264-TPH9R506PLLQTR
264-TPH9R506PLLQCT
TPH9R506PL,LQ(S
264-TPH9R506PLLQDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK28N65W5,S1F
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TK1K7A60F,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TK5R3A06PL,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
