Производитель Номер продукта:
TPN19008QM,LQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TPN19008QM,LQ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 34A 8TSON
Подробное описание:
N-Channel 80 V 34A (Tc) 630mW (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Инвентаризация:
10887 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12968133
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TPN19008QM,LQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSX-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
19mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1400 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
630mW (Ta), 57W (Tc)
Рабочая температура
175°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
TPN19008
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
264-TPN19008QMLQTR
264-TPN19008QMLQDKR
TPN19008QM,LQ(S
264-TPN19008QMLQCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
MCH6337-TL-E
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, P
FDMS5361L-F085
FDMS5361 - N-CHANNEL POWERTRENCH
MCU60P04-TP
P-CHANNEL MOSFET,DPAK
