Производитель Номер продукта:
TPN7R504PL,LQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TPN7R504PL,LQ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 38A 8TSON
Подробное описание:
N-Channel 40 V 38A (Tc) 610mW (Ta), 61W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Инвентаризация:
3126 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12920979
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TPN7R504PL,LQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSIX-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.5mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2040 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
610mW (Ta), 61W (Tc)
Рабочая температура
175°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
TPN7R504
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
264-TPN7R504PLLQDKR
TPN7R504PL,LQ(S
264-TPN7R504PLLQTR
264-TPN7R504PLLQCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TPWR6003PL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
TK110A10PL,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
SQ3410EV-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
