Производитель Номер продукта:
TPN7R506NH,L1Q
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TPN7R506NH,L1Q-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Подробное описание:
N-Channel 60 V 26A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Инвентаризация:
4880 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890256
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TPN7R506NH,L1Q Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVIII-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.5mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1800 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
700mW (Ta), 42W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
TPN7R506
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
TPN7R506NHL1QCT
TPN7R506NHL1QTR
TPN7R506NHL1QDKR
TPN7R506NH,L1Q(M
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TPCA8018-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 30A 8SOP
TK16V60W,LVQ
MOSFET N-CH 600V 15.8A 4DFN
TK8P60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 8A DPAK
