Производитель Номер продукта:
TPN8R903NL,LQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TPN8R903NL,LQ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
Подробное описание:
N-Channel 30 V 20A (Tc) 700mW (Ta), 22W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Инвентаризация:
5561 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890374
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TPN8R903NL,LQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVIII-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.3V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
9.8 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
820 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
700mW (Ta), 22W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
TPN8R903
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
TPN8R903NLLQCT
TPN8R903NLLQTR
TPN8R903NLLQDKR
TPN8R903NL,LQ(S
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK35E08N1,S1X
MOSFET N-CH 80V 55A TO220
TPC8021-H(TE12LQ,M
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP
TPCA8012-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP
